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  • 砷化镓片
砷化镓片

砷化镓片

 
  •                                                                                                砷化镓片性能指标

    Dopant
    掺杂元素
    Si
    Zn
    Si
    Diameter
    直径

    2 inch

    2 inch

    2.5 inch

    Growth method

    生长方法
    VGF
    VGF
    VGF

    Conduct Type

    导电类型
    N
    P
    N
    Orientation
    方向
    <511>,<100>

    upon request
    <100>

     upon request
    <100>

    upon request

    CC (/cm3)

    载流子浓度

    4.0E17 / 2.5E18

    1.5E19 / 3.0E19

    1.0E17 / 7.0E17

    Mobility (cm2/v.s)

    迁移率
    >2000
    >2000
    >2000

    EPD (/cm2)

    位错密度
    <3000
    <5000
    <8000

上一个产品：砷化镓红外晶体材料 下一个产品：砷化镓单晶

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