生长方法

MOCVD

晶体结构

六方

晶格常数

a=3.07 Å     c=15.117 Å 

排列次序

ABCACB

方向

生长轴或 偏<0001> 3.5 º

带隙

3.02 eV (间接)

硬度

9.2（mohs）

密度

3.21g/cm³

折射率

n_o=2.55   n_e=2.59

热传导@300K

3 - 5 x 10⁶W/ m

介电常数

e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

尺寸

10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm

厚度

厚度：0.35mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>±0.5º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:

≤5Å（5µm×5µm）

包装

100级洁净袋，1000级超净室