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  • 砷化镓红外晶体材料
砷化镓红外晶体材料

砷化镓红外晶体材料

  • 砷化镓红外线晶体材料
    产品简介
    砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力极强,它在2µm-14µm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。
     
     
    我们提供采用水平法生产砷化镓红外多晶体材料,该材料具有如下优势:
    (1)、水平法生产的砷化镓红外材料为多晶体,从成本考虑,多晶体价格低于单晶体,深受市场欢迎。
     
    (2)、在 3-5 um 和 8-12 um 波段有55%透过率(理论透过率为55.8%)。在12um以外波段则由于晶格振动吸收,水平法GaAs比垂直法GaAs镜片的透过率约高1%-2%。
    (3)、在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

    • 砷化镓红外晶体材料性能参数
      砷化镓红外原材料制备方法
      水平法
      纯度
      6N
      密度

      5.37 g/cm3

      掺杂元素
      Cr
      导电类型
      P
      电阻率(Ω·cm)
      > 10 E7
      透过率

      ~55%(1.5- 14 um波长)

      体吸收系数 @ 10.6µm
      <= 0.01 /cm
      折射率温度系数 @ 10.6µm
      149 x 10-6/°C
      导热率 @ 20° C
      0.48 W/cm/°C
      比热
      0.325 J/g/°C
      线性膨胀系数 @ 20° C
      5.7 x 10-6/°C
      杨氏模量

      83 GPa (12.04 x 106 psi)

      断裂模数
      138 MPa (20,000 psi)
      努氏硬度

      750 kg/mm2

      泊松比
      0.31
       

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