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砷化镓红外晶体材料
- 型号:pmp6
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砷化镓红外线晶体材料产品简介砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力极强,它在2µm-14µm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。我们提供采用水平法生产砷化镓红外多晶体材料,该材料具有如下优势:(1)、水平法生产的砷化镓红外材料为多晶体,从成本考虑,多晶体价格低于单晶体,深受市场欢迎。(2)、在 3-5 um 和 8-12 um 波段有55%透过率(理论透过率为55.8%)。在12um以外波段则由于晶格振动吸收,水平法GaAs比垂直法GaAs镜片的透过率约高1%-2%。(3)、在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。
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砷化镓红外晶体材料性能参数砷化镓红外原材料制备方法水平法纯度≧6N密度
5.37 g/cm3
掺杂元素Cr导电类型P电阻率(Ω·cm)> 10 E7透过率~55%(1.5- 14 um波长)
体吸收系数 @ 10.6µm<= 0.01 /cm折射率温度系数 @ 10.6µm149 x 10-6/°C导热率 @ 20° C0.48 W/cm/°C比热0.325 J/g/°C线性膨胀系数 @ 20° C5.7 x 10-6/°C杨氏模量83 GPa (12.04 x 106 psi)
断裂模数138 MPa (20,000 psi)努氏硬度750 kg/mm2
泊松比0.31
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